举措措施审批速率如今已经成为决议半导体系体例造业扩张速率以和国家对于年夜型芯片制造商吸引力的要害因素。

《芯片与科学法案》对于于美国本土投建半导体工厂给予520亿美元的政策资助，许多由受资助的晶圆厂正于设置装备部署中，但有些工厂因为情况评估及当地住民的抗议而还没有动工。

据SemiAnalysis报导，这些项目包罗安靠公司于亚利桑那州的进步前辈封装工厂、美光公司于纽约的 DRAM 工厂，以和 SK 海力士于印第安纳州的 HBM 工厂。

当地人否决安靠的工厂

安靠公司计划于亚利桑那州皮奥里亚四周制作一座耗资20亿美元的芯片封装工厂，拥有跨越 500,000 平方英尺（46,451 平方米）的洁净室空间，对于在当地半导体供应链至关主要，该供应链已经包罗台积电 Fab 21 工厂以和十多家供应商。

但该计划受到了维斯坦西亚四周住民的抵制。当地住民否决安靠的选址，由于他们担忧这可能会对于水资源造成压力，并加重交通拥挤。

工厂预计将成为全世界最年夜的进步前辈封装工厂之一，对于在像苹果如许的公司也至关主要，苹果已经允许于台积电 Fab 21 工厂生产芯片，并于安靠的工厂举行封装。

然而，鉴在连续的抗议运动，该工厂可否按计划于 2027 年投产仍有待不雅察。

美光公司耗资 1000 亿美元的园区设置装备部署面对延误

这类情况并不是安靠公司及亚利桑那州独占。

于纽约州克莱，美光公司计划斥资1000 亿美元兴修的 DRAM 生产基地（原计划在 2040 年月落成，预计将成为美光公司迄今为止最年夜的制造基地，并缔造约 5 万个直接及间接就业岗位）也遭受了进度挫折。

该公司的情况评估被推延，民众反馈期也延伸至 8 月。是以，原定在 2024 年动工的设置装备部署项目，于社区否决定见获得解决以前没法开工。

该基地预计将容纳四间洁净室，总面积达60万平方英尺（约5.57万平方米），约为格罗方德8号晶圆厂洁净室面积的八倍。

该晶圆厂是美光公司扩展其美国生产战略的要害组成部门。克莱工厂的早期设置装备部署预计到本世纪末将耗资约200亿美元，为未来几年计划的更年夜规模设置装备部署奠基基础。然而，美光公司正面对严峻的项目延误，据报导，一座耗资200亿美元的晶圆厂的设置装备部署延误天天将造成500万美元的丧失。

美光公司曾经计划到2030年月中期，于美国生产40%的DRAM产量，并于爱达荷州博伊西及纽约州克莱四周运营工厂。然而，鉴在今朝的延误，美光公司可否乐成履行其计划尚不开阔爽朗。

SK海力士获得批准，但历程困难

于印第安纳州西拉斐特，SK海力士斥资39亿美元设置装备部署高带宽存储器（HBM）生产基地的计划获得了批准，但花了七个小时才说服市议会。

该公司面对着当地住民的抵制，由于他们家四周跨越120英亩的土地需要重新计划。住民们对于室第区四周的工业生长体现担忧，这险些致使该项目阻滞。

该工厂投资 39 亿美元，专门用在生产 HBM 及其他特殊类型的内存，预计 2028 年最先运营后，将成为全世界最年夜、开始进的 DRAM 组装工厂之一。该工厂预计将缔造多达 1,000 个就业岗位，SK 海力士另有计划与普渡年夜学相助开展未来的研发项目。

SemiAnalysis称，为了制止未来生长泛起此类延误，一些州正于设立预先批准的工业区。经由历程提早计划基础举措措施，各州另有可以于允许的投资掉败时施加处罚，从而确保企业肩负更年夜的责任。

简化审批流程已经成为全世界技术生长的竞争上风。凭据宁静与新兴技术中央的分析，举措措施审批速率如今已经成为决议半导体系体例造业扩张速率以和国家对于年夜型芯片制造商吸引力的要害因素。

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